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545は、昨年のIntel SSD 540の後継モデルであり、Intelテクノロジーのロードマップに形成された特定のギャップを埋めるはずです。 消費者向けソリッドステートドライブ市場では、ITの巨人が最近、Silicon Motionコントローラーに基づく低コストモデルの推進に注力しています。 さらに、たとえば同じIntel SSD 540sのような多くのSSDでは、IntelはSK Hynixのプレーナチップを優先して、自社生産のフラッシュメモリの使用を拒否しました。
Intel SSD 545sは、その前身よりも一段高いです。 ストレージデバイスはSMI SM2259コントローラーを使用します。これは、パフォーマンスが向上したSM2258の改良バージョンです。 多数のレイヤーを持つ未亡人を所有する新しい第2世代のIMFT 3D TLC NANDも、速度を向上させます。 コントローラーはECCメモリーでも動作します -これにより、545のデータ破損に対する耐性が高まります。
545sと540sの仕様比較
512ギガバイトのIntel SSD 545の場合、メーカーは、550 MB /秒の連続読み取り速度と500 MB /秒の書き込み速度を示しています。 任意の読み取りの場合、ドライブのパフォーマンスは約75,000 IOPSで、書き込みの場合は-90000 IOPSです。 Intelによると、新しいSSDはパフォーマンスの点で前身を上回り、Samsung 850 EVOおよびCrucial MX300と競合することができます。 新しいドライブの価格はほぼ同じレベル-179ドルになります。 「耐久性」に関しては、Intel SSD 545sは競合他社よりも優れています。 製造元によると、 Intel SSD 545sの書き換えリソースは288 TBです。
ドライブはすでに販売されていますが、64層メモリの生産量がかなり控えめであるため、その可用性は大幅に制限されています。 現在、容量が512 GBの2.5インチSSDのみが提供されています。
ただし、Intelは、SSD 545のすべてのサイズに対して、より小さな256Gb 64L TLCクリスタルを使用する予定です。 512Gb 64L TLCクリスタルはまだ量産に至っていません。ITの巨人は、できるだけ早くコンシューマードライブの全ラインを市場に投入したいと考えています。 将来、Intel 545の範囲には、128 GBから2 TBの容量のストレージデバイスが補充されました 。 確かに、Intelはまだ特定の日付を指定していません。
3D TLC NANDの作成に関する作業は、東芝によって正常に実行されていることに注意してください。 7月11日、同社は 、層間接続（Through Silicon Via、またはTSV）を使用したバルククリスタルレイアウトを備えた世界初のTLC BiCS FLASHフラッシュメモリの開発を発表しました。 サンプルは現在の半年で一般に公開されます。
同社のエンジニアは、48層3D NANDメモリの8つのクリスタルを組み合わせて、512 GBのチップを作成しました。 製造元によると、新しいメモリは、高価格帯のSSDにアプリケーションを見つけるでしょう。
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