先日、サムスン電子は、サーバーとデータセンター向けの高性能SSDの量産開始を発表しました。 セルあたり最大3ビット（3ビットMLC）のデータを保存するための新しいテクノロジーは、NANDフラッシュメモリに基づくソリッドステートドライブを、大量のデータの保存と処理に最適な選択肢にするために設計されています。 新しいSamsung PM853T SSDラインアップは、240 GB、480 GB、および960 GBモデルで利用できます。
3ビットMLCテクノロジーにより、セルごとに最大2ビットの情報を保存するメモリと比較して、生産効率を30％向上させることができます。 ドライブは、10 nmクラスのプロセステクノロジーに従って製造されたNANDフラッシュメモリチップに基づいて作られています。 最大530 MB / sのシーケンシャル読み取り速度と、最大420 MB / sのシーケンシャル書き込み速度を提供します。 ランダムな読み取りおよび書き込み速度は、それぞれ90,000および14,000 IOPSに達します。
2012年にセルあたり最大3ビットのストレージテクノロジーを備えた最初のSamsung 840 EVO SSDが発売されて以来、同社はPCストレージデバイスと超薄型ラップトップの生産におけるリーダーとなっています。 現在、SamsungはSATA、SAS、PCIe、およびNVMeデバイスのラインアップを拡大し、ハードドライブからSSDへの移行を最大限にしています。 SATA 6 Gb / sインターフェースを備えたSamsung PM853Tデバイスにより、データセンターは効率を向上させ、高性能ストレージシステムの構築コストを削減できます。 新しいソリッドステートドライブは、この四半期から早々に大規模データセンターのデータストレージシステムで使用されるようになります。
IHS iSuppliによると、グローバルなSSD市場は2013年の94億ドルから2014年には124億ドルに増加し、2017年には200億ドルに達するでしょう。