Fujitsu ReRAM：価値のあるフラッシュの競合他社

富士通は、新しい開発に関する情報を公開しました。低消費電力で高速のデータ転送速度を備えた、ランダムアクセスReRAM（抵抗RAM）を備えた不揮発性メモリです。



富士通研究所のエンジニアは、チタンを酸化ニッケルに追加し、消去操作に必要なトランジスタの電流を100 mAに下げることでReRAMの構造を変更することにより、大きな成功を収めました。 これにより、この操作の時間が5 nsに短縮されました。 したがって、富士通製のReRAMメモリは、チタンを使用せずに作成された既存のReRAMサンプルよりも1万倍高速であることがわかりました。



これらの改善により、また製造プロセスの低コストにより、ReRAMはフラッシュメモリと競合する可能性があります。 富士通は、2010年に抵抗メモリの量産を開始する予定です。



ギズモード経由