新製品の概要:サムスンはフラッシュメモリ3D V-NANDベースのSSDドライブを発表しました

こんにちは、Habr!



同社が同じ大容量NANDチップに基づいて構築されたエンタープライズストレージシステム向けの最初のソリッドステートドライブを導入したため、垂直アーキテクチャを備えた新しいサムスン3D垂直NANDフラッシュメモリ発表から1週間も経っていませんでした。 これは、Flash Memory Summit 2013カンファレンスで起こりました。







ノベルティはSATA III 6 Gb / sインターフェースを備えており、サーバーおよびデータセンターでの使用を目的としています。 フルレンジは、480 GBと960 GBの容量を持つソリッドステートドライブの2つのバージョンで構成されています。 古いモデルは、それぞれ128 Gbの容量を持つ64層のMLC 3D V-NANDメモリセルを使用します。



発表されたSSDは、以前のSSDよりも40%少ない電力を消費します。 さらに、サムスンのエンジニアは、情報の連続的および任意の記録速度を20%向上させることに成功しました。 主張されているドライブ寿命は35,000回の書き換えサイクルであり、消費者SSDで使用される19-nm MLC NANDフラッシュメモリのパフォーマンスの3-6倍です。 目新しさは2.5インチのフォームファクターで作られており、その寸法は100 x 70 x 7 mmです。



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