理論（1） （2）が終わったら-練習に移りましょう。 この記事では、ロシア（およびベラルーシ）のマイクロエレクトロニクス工場の存在とその機能、マイクロチップ自体の最大の開発者、および彼らが達成した成果について説明します。



カットの下には、プラスチックエレクトロニクス、多くのAMD企業によく知られているロシアの「人道支援」とMetroチケットに関する劇的な物語があります。



それに加えて、ロシアのマイクロエレクトロニクスの状態が過去22年間に米国および中国と比較してどのように変化したかを示すグラフです。

マイクロエレクトロニクスの比較状態のグラフ

技術的な遅れ/利点の数は「楽観的に」構築されます。米国/中国には次の技術が何年ありますか。 たとえば、2012年から90nmがあります。米国では2006年以降、それぞれ2012-2006 + 1 = 7年で次の技術（65nm）があります。



青色のグラフ-米国、赤色-中国。



以前の記事で書いたように、iPhoneの需要を満たすための競争では、お金を稼ぐことはできません（リーダーではない場合） /スペースエレクトロニクス）。



しかし、私たちは中国を技術的に遅れた国と見なすのをやめる時が来ました。実際、彼らは長年にわたってマイクロエレクトロニクスで私たちよりも先を行ってきました。 現時点では、彼らは45nmの生産を開始し、32nmのライセンスを持っています。

マイクロエレクトロニクス生産

Sitronics-ミクロン

2010年まで、Mikronはソビエト時代から残された機器の大部分について、約ミクロンの基準で働いていました。



2006年、直径200mmのプレート上にアルミニウムメタライゼーションを備えた180nm規格（CMOS + EEPROM）で生産するための技術と機器がSTMicroelectronicsから購入されました。 次に、この装置に基づいて、SiGeテクノロジー（無線周波数アプリケーションに必要-GLONASS、レーダーなど）およびSOI（耐放射線マイクロ回路用）が開発（または購入-データなし）されました。 生産量は1ヶ月あたり1,500枚です。



しかし、2007年の終わりに、リボンは厳しく切断されました;最初のテストプレートは2010年でした。 このような初期の「リボン切断」は、単に税の最適化の問題です。



Micronはメトロチケット用のRFIDチップを製造しているという報告がありましたが、過去半年間に30のメトロチケットを開いたため、NXPチップしか見つかりませんでした。 同様の結果は2009年8月にChipworksで達成されました 。 しかし、私はここでドラマを見ません。彼らがこのプロダクションを買ったのは地下鉄のためではありませんでした。 マイクロン自体では、このテーマに関する私の質問は未回答のままでした。 しかし、1.5年前にMikronチップを見るのは幸運なようです。



現在、各メトロチケット内にあるのは次のとおりです：（サイズ-0.6x0.6 mm）





次に、同じSTMicroelectronicsから、銅メタライゼーションを備えた90nmテクノロジーが取得され、追加の機器（主にスキャナー）が必要になり、月あたり最大3000プレートの生産能力が増加しました。



ASML PAS 5500 / 750F 248nm / 0.7 120プレート/時間

ASML PAS / 1150C 193nm / 0.75 135プレート/時（ロシア初の波長193nmのスキャナー）



Rusnanoの資金提供。 2012年9月に、彼らは90nm製品の販売開始を発表しました。 したがって、現時点では、 Sitronics-Micronはロシアで最も近代的で汎用性の高い半導体生産を行っており、世界標準で非常に控えめなお金を費やしています。



Mikronには弟がいます-VZPP-Mikron、Voronezhで-彼らはそこに個別の要素を作り、ミクロン標準に基づいてマイクロ回路を作ります。

NIISI RAS

または、「クルチャトニク」とも呼ばれます。 超小規模生産のステッパー、ASML PAS 5500 / 250C、350nmの解像度があります。 生産量は1日に数枚です。 彼らは、Kurchatnik- Comdiv-64でほとんど知られていない、開発、製造された軍事製品にのみ従事しています。

積分

長い間、ベラルーシのインテグラルは800nm技術を所有していましたが、数年前にようやく200mmプレートで350nmの生産を開始することができました。 350nmライン用の直径200mmの「クリーン」プレートの生産もあります。



新しいラインでは-彼らは軍事用のマイクロサーキットのみに従事しているようですが、古い巨大な生産（150mm / 800nm-10,000平方メートル/月、100mm /1.5μm-30000平方メートル/ 100mm /2μm-15,000平方メートル/月）では個別のコンポーネントを生産しますエクスポート用のシンプルなチップ。

オングストローム（「古い」）

古いオングストローム-直径150 mm（1か月あたり8,000プレート）および100 mm、1200 nmのシリコンオンサファイア/炭化ケイ素（1か月あたり4,000プレート）のプレートでの標準600 nmの生産。



ステッパー-キャノンFPA-2000 i1（波長365nm、NA = 0.52、解像度〜0.5um）。



他の国内工場と同様に、民間製品も輸出されています（LEDドライバー、携帯電話の電源管理チップなど）。

オングストローム-T

Angstrom-Tはすでに多くのドラマを生み出しています。そのため、より詳細に説明します。 このプロジェクトは、ソビエト時代から残っている未完成の工場の建設に基づいています。 ケースはしっかりと構築され、130nmテクノロジーの最新の要件を満たしました。



機器はAMDドレスデン工場から購入し（130nm、9層の銅メタライゼーション、1ヶ月あたり14,000プレート）、宴会はほぼ完全にVEBクレジットラインから資金調達され、8億1500万ユーロの限度があり、これは原則としてユニークなケースです-マイクロエレクトロニクス工場はほとんど資金調達されていませんクレジットスコアが半分以上。 また、2010年の建設現場の記事を読むことができます-habrahabr.ru/post/80142



2008年、AMDは機器設計に約1億8250万ユーロ、技術ライセンス1億2,000万ユーロを工場設計のステージAに対してMeissner＆Wurstに支払いました。 ただし、機器の所有者はAngstrom-Tではなく、キプロスのオフショア会社Runicaでした。 機器はロシアに持ち込まれず、オランダとドレスデンの倉庫に残されたため、ヨーロッパでもロシアでもVATを支払う必要はありませんでした。 その瞬間に撮影したビデオを見ることができます-tv.cnews.ru/?video_id=410



その後、資金調達が突然停止しました（当事者の証言は異なります-屋根ふきのフェルトは危機的状態であり、ローンの屋根ふきの支払いは期限切れです）、機器は海外に留まりました（今では毎年、特別な倉庫と保険での保管の支払いも必要です）。 実際、AMDの支払いに費やされる最低限の金額が費やされ、プロジェクトはそこで停止しました。 ちなみに、当時思い出したように、AMDはちょうどその時点でマイクロエレクトロニクスの生産を別の会社に分離し（2009年3月に終了しました）、同社は古くなった機器を非常に手頃な価格で非常にうまく押し出しました。



資金調達の停止後、プロジェクトで目に見える進展はなく、マウスの騒ぎ（誰が、誰が、誰が、誰が、所有者と管理者の変更に保険をかける）と、信用枠の利子の蓄積だけでした。 2012年に資金調達が再開されました（ただし、資金調達が以前に再開されたという報告がありました）。2012年10月末に、Angstrom-Tはレオニードレイマンによって「公式に」購入されました。 同時に、IBMは90nmテクノロジーのライセンスを取得しており、追加の機器を購入する必要があります。 建設が再開され、2014年初頭に生産が開始される予定です。 もちろん、次の技術への移行により、機器が倉庫に置かれた余分な5年間をいくらか補償することが可能になります。



この方法で65nmまで「アップグレード」することはできないことに注意してください。通常、65nmでは経済的な理由から300mmのプレートが必要です。



お金を数える（非常に大体）

「指先で」プロジェクトの経済的将来が最も楽観的な方法でどのように見えるかを大まかに計算してみましょう。



工場の建設と立ち上げのための最初のクレジットラインは〜815百万ユーロです。 2008年以降、すでに関心を集めていることは忘れてください。



IBMがそれほど貪欲ではなく、90nmライセンスの追加機器の費用がたった100百万ドルであると仮定します（比較のため、Sitronicsは90nmライセンスで27百万ユーロを支払いました）。

次に返される金額は〜815 * 1.29 + 100 = $ 1,151 millionです。レートは8.5％です。



初期の事業計画によると、1枚のプレートを製造するための材料、電気、水、ガスのコストからマスクのコストを引いたもの（顧客が支払う）は408.75ドルです。 これらはプレートごとに条件付きで変動するコストであり、生産がある場合にのみ負担します。



従来の低賃金の年間労働コスト：

1098（州のサイズ）* 12 * 30,000 = 3億9,520万ルーブル/年。

私たちは、他に何も支払う必要がないと仮定します（たとえば、税金）。 これらの3億9,520万ルーブルは条件付き固定費であり、工場の生産量に関係なく負担します。



世界市場での直径200 mmの完成プレートの平均コストのグラフ：





2014年に完成した200mm 90nmのプレートの平均コストは、2009年の200mm 130nmとほぼ同じだと考えるのは公平だと思います。 ところで、350-150nmのプレートの同じ価格に注意してください-これは、すべての市場参加者が設備と建設のために長い間ローンを支払い、誰もがほぼコストで働いているという事実によるものです（そして人件費と材料費はほぼ同じです）。



その後、年間で、最も基本的な費用を差し引いた工場は以下を受け取ります。

14000 * 12 * 1001（最大負荷時の収益）-395.2百万ルーブル/ 31（固定費）-14000 * 12 * 408.75（プレートあたりの固定費）〜$ 86.75百万

そして、8.5％の金利でのローンの利子のみが1151 * 0.085〜9780万になります

したがって、温室条件、および100％の負荷であっても、プラントは利子さえも支払うことができなくなります。



50％のローンを償却する場合、同じ温室条件の下でのローンは13年で解決できますが、実際には十分な合併症があります（たとえば、時間の経過に伴うプレートのコストのさらなる減少、プラントの不完全な積載など）。



プロジェクトは当初、そのような見込み客からどのように資金を受け取りましたか？ この事業計画は、2000〜2500ドルのオーダーのプレートのコストの楽観的な評価に基づいていました（ロシアの電子産業の発展にとってプロジェクトはまだ重要だったため）。



したがって、ローン、国有化、ユーロ圏の消滅、あらゆる形態の多年にわたる多額の補助金（年間1億ドルのレベル）、または台湾と韓国での核戦争なしでは、工場は機能しません。 しかし、Reimanは、この問題に公式に関与すると、私たちよりも多くのことを確実に知っています。2014-2015年を待ち、何が起こるかを見るのはまだ残っています。

その他

さらに、1ミクロンよりも厚い生産を持つ小規模企業があります： Exciton 、 NPO IT （宇宙用）、 Voskhod-KRLZ 、フォトマスクの生産-TsKP PKIFなど。

ニュースに巻き込まれた関連産業

プラスチックロジック

同社は、「プラスチック」トランジスタに基づいて構築された電子インクディスプレイに従事していました。 利点は、柔軟性と製造の容易さですが、プラスチックトランジスタの電気的パラメータは、シリコンのものよりも桁違いに劣っています（したがって、「古い」シリコンエレクトロニクスの革命や殺害は予想されません）。



2010年末、Rusnanoはプラスチックロジックに投資し、ゼレノグラードに読書用スクリーンの生産工場を建設しました。

2011年10月11日Interfax：RUSNANOはPlastic Logicへの出資比率を33.7％から43.8％に引き上げました

[...] Plastic Logicの評価は変わらず、投資された資金はロシアの工場建設に完全に充てられるとRUSNANOは報告した。



ゼレノグラードでの非シリコンディスプレイの生産工場の建設は、今年12月に開始される予定です。 同社は月に約10万台のディスプレイを生産します[...]

2012年の初めに、会社は突然その瞬間が失われ、工場を建設することはもはや利益をもたらさないと決定しました 。 同社は現在、技術の開発とライセンス供与のみを取り扱っています（ただし、市場が散らばっている場合、このライセンスを必要としているのは誰ですか）。



壮大な失敗。

クロッカスナノエレクトロニクス

2011年5月17日RUSNANOプレスセンター：RUSNANOとCrocus TechnologyがMRAM生産を開始-90および65 nmテクノロジーを使用した世界初

RUSNANOと磁気抵抗メモリの大手開発会社であるCrocus Technologyは本日、ロシアで次世代MRAMメモリの生産を確立するための投資契約の締結を発表しました。 総取引額は3億ドル合意の下、RUSNANOとCrocusはCrocus Nano Electronics（CNE）を作成し、ロシアに熱支援技術を使用して90および65 nmの設計標準を持つ中および高密度MRAMメモリプラントを構築します。スイッチング-TAS）Crocusによって開発されました。

ただし、これは本格的な65nmプロダクションではありません（$ 300mlnは本格的な65nmプロダクションのペニーです）-既製のCMOSプレート（トランジスタとメタライゼーション）を取り、磁気抵抗メモリのレイヤーを適用します。 2013年を待って、何が起こるか見てみましょう。

GSナノテック

09/25/2012 RIA Novosti：カリーニングラード近郊の秋にマイクロエレクトロニクスのコンポーネント製造センターが機能します

ロシアで最初の45ナノメートル以下のトポロジを備えたマイクロエレクトロニクスコンポーネントの大規模生産企業であるカリーニングラード地域にあるGSナノテックセンターは、晩秋に就役する予定であると、同センターの生産責任者であるアレクセイヤルツェフは記者団に語った。

彼らのサイトを見ると、会社はただ板の切断、パッケージング、チップのテストだけに従事していることがすぐにわかります。 つまり 入力-完成したプレート、出力-微細回路。 これは間違いなく重要な問題でもありますが、「45nm」-ここでは、一般的に、企業に属していません。

MAPPERリソグラフィー

Rusnanoは 、マスクレスリソグラフィ技術に4,000万ユーロを投資しました。 これは、私の意見では、Rusnanoの最もおいしい投資です。 マスクレスリソグラフィは、マイクロエレクトロニクス（さようならFPGA）の小規模生産における将来の革命であり、軍用マイクロエレクトロニクスの生産に特に役立ちます。 1つのマスクと1つの生産技術で印刷されます。



MAPPERテクノロジーの本質は、電子ビームによる電子レジストの露光です。 これは以前に行われましたが、現在-光線は1ではなく13'260です。 したがって、1つの設備で1時間あたり1〜10枚のプレートを展示することができ、これは多くの小規模製品に十分な量です。

マイクロエレクトロニクス開発

私の意見では、秘密のベールでカバーされていない最も興味深い国内の動向に注目します。

ICST

MTsST-R500S（500MHz SPARC 2コア）

Elbrus-S（500 MHz、独自のアーキテクチャ）

MTsST-R1000（1 GHz SPARC、4コア）

ELBRUS-2C +（500MHz 2コアElbrus、4コアDSP）

エルビス

1288XK1T（MF-01）-4チャンネルSDRレシーバー

1892VM5YA-1.2GFLOP DSP（32ビット）

189210-GLONASSをサポートする4 GFLOP DSP（32ビット）

ミランダー

1986BE92U / MDR32F9Q2I ARM Cortex-M3 128kbフラッシュ/ 32kb SRAM、80Mhz

K1986BE21U / MDR32F2QI ARM Cortex-M0 128kbフラッシュ/ 16kb SRAM、36Mhz

STCモジュール

1879BM3-4つの8ビットDAC、300 MHz、2つの6ビット600 MHz ADC、150 MHzプロセッサコアおよび外部メモリインターフェイス

NM6406-300MHz DSP（クロックあたり2つの32ビットMAC）

KM211

K5512BP1F（クォーク）-Micron 180nmで製造された150MHz 32ビットRISCプロセッサ

まとめ

近年、ロシアのマイクロエレクトロニクスは、生産（Mikronで90および180 nm、Integralで350 nm）と開発の両方の面で大きく活気づきました。



プロセッサ、マイクロコントローラ、パワーエレクトロニクス、放射線耐性マイクロ回路、無線通信用マイクロ回路、GLONASS、レーダーなど、あらゆる産業製品、軍事製品、宇宙製品を開発および生産することがすでに可能になりました。 しかし、私たちが覚えているように、開発は高価な喜びなので、すぐにすべてを行うことはできません。



マイクロエレクトロニクスには「時代遅れの」生産はありません;あらゆる規格の製品には独自の市場と価格があります。 ソビエトの工場でさえも、輸出用に機能します-パワーマイクロ回路、ディスクリート素子（パワートランジスタとダイオード）およびその他の小さなものをリリースします-そして、それらを外国の商標でマザーボードおよび携帯電話で購入します。