सैमसंग ने 32 लेयर्स के साथ इंडस्ट्री का पहला V-NAND 3D फ्लैश मेमोरी लॉन्च किया

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सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने उद्योग की पहली 3 डी वी-नंद फ्लैश मेमोरी के बड़े पैमाने पर उत्पादन की शुरुआत की घोषणा की, जिसमें इसकी थोक संरचना में स्मृति कोशिकाओं की 32 खड़ी परतें हैं।







यह सैमसंग की दूसरी पीढ़ी का 3D V-NAND फ्लैश मेमोरी है। पहली पीढ़ी के चिप्स का सीरियल उत्पादन पिछले साल अगस्त में शुरू हुआ था और इसमें मेमोरी सेल्स की 24 परतें शामिल थीं। इस तथ्य के बावजूद कि परतों की संख्या में वृद्धि के लिए उच्च स्तर की डिजाइन प्रौद्योगिकी की आवश्यकता होती है, यह उत्पादन क्षमता में उल्लेखनीय वृद्धि प्रदान करता है, क्योंकि सैमसंग लगभग उसी उपकरण का उपयोग कर सकता है जिसका उपयोग पहली पीढ़ी के 3 डी वी-एनएएनडी मेमोरी का उत्पादन करने के लिए किया गया था।







इसके अलावा, सैमसंग ने नई फ्लैश मेमोरी के आधार पर 128 जीबी, 256 जीबी, 512 जीबी और 1 टीबी की क्षमता के साथ प्रीमियम सॉलिड-स्टेट ड्राइव की नई लाइन शुरू करने की घोषणा की। पहली पीढ़ी के 3 डी वी-नंद फ्लैश ड्राइव के विपरीत, जो डेटा केंद्रों के लिए डिज़ाइन किए गए थे, सैमसंग के नए एसएसडी को पीसी के ऊपरी खंड को कवर करने के लिए डिज़ाइन किया गया है। नए SSDs रिकॉर्डिंग संसाधन में लगभग दोगुने हैं और MLC NAND प्लानर फ्लैश मेमोरी के आधार पर ड्राइव की तुलना में 20% कम बिजली की खपत करते हैं। पारंपरिक दो-आयामी फ्लैश मेमोरी की तुलना में थोक चिप्स में डेटा स्टोरेज की विश्वसनीयता 2-10 गुना बढ़ जाती है।



इस साल के अंत में, सैमसंग नई दूसरी पीढ़ी के 3 डी वी-नंद फ्लैश एसएसडी को और भी अधिक मात्रा और विश्वसनीयता के साथ पेश करेगा।