先日、IBMは、相転移（PCM、 相変化メモリ ）を備えた興味深いプロジェクトメモリを導入しました。 このプロジェクトは、 テセウスと名付けられ、ギリシャで開催されたNon-Volatile Memory Workshop 2014カンファレンスで展示されました（古代神話と名前の一致はすべて一致と見なされます:)）。
したがって、プロジェクトの本質は、物質によって電流にさらされたときの物質の構造の相変化です。 物質は条件付きセルに分割され、各セル内の物質はアモルファスまたは結晶のいずれかになります。 この場合、アモルファス状態を0、結晶性（導電性）状態を1とみなします。
セル内の物質の状態を読み取るのは、セル内の物質の状態に影響を与えない超低電流の使用によるものです。 物質の状態の変化は、単一の発生ではありません。もちろん、開発者は、そのような媒体の書き込みサイクルの条件付き数が100万に達することを示しています。
電流の影響下で構造を変化させて情報を保存する物質を使用するというアイデアが、前世紀の70年代に提案されたことは注目に値します。 ただし、このアイデアの実装は成功していません。 これは、最近でも、適切な量のメモリを搭載したボードのサイズが大きなサイズに達していたためです。
テスト結果に関しては、PCMでの書き込み速度は印象的です。リクエストの99.9％がわずか240マイクロ秒で完了しました。 PCI-eフラッシュカードとSSDを使用した同じテストでは、新しいタイプのメモリを使用した場合よりも記録が12倍および275倍遅いことが示されました。
写真でわかるように、今ではそのようなボードはほとんどポータブルとは言えません。 ただし、これはプロジェクトの初期段階であり、興味深い結果を示し始めたばかりです。 この場合、開発者は「クリーンな」PCMメモリを使用する予定はありません。 商用デバイスは、PCM-NANDハイブリッドテクノロジーを使用します。これにより、ボードのサイズが縮小され、最新のSSDと比較して情報の読み取り/書き込みが大幅に高速化されます。
このようなボードを接続するためのインターフェースはPCI-eであり、ほとんどの最新のコンピューターと互換性があります。
新しいメモリの最初の商用サンプルは2016年に登場する予定です。 プロジェクトチームは、このようなメモリは、エンタープライズクラスのサーバー機器での使用に最適であると考えています。エンタープライズクラスのサーバー機器では、膨大なデータアレイで作業が行われ、最大速度が必要です。
ところで、ここに英語でのプロジェクトのプレゼンテーションがあります。