IntelとInfineon Technologies AGの2つの半導体大手は、新世代のSIMカード、いわゆる高密度HD SIMカードを作成するための戦略的パートナーシップを発表しました。
インフィニオンは、SLE 88ファミリに基づいた32ビットマイクロコントローラと同様に、チップのアーキテクチャを開発し、Intelは4〜64メガバイトのフラッシュモジュールをチップに導入します。 Intel NORタイプのフラッシュメモリは、65ナノメートルおよび45ナノメートルのプロセステクノロジを使用して生産されます。 マイクロコントローラは現在、130 nmプロセステクノロジを使用して製造されています。これは、スマートカードにとって最大の技術的成果です。
すべてのHD SIMカードは、ETSI仕様に従って1.8 V〜3.3 Vの電圧範囲で動作します。 新しい超小型回路の最初の実用サンプルは2008年後半に予定されており、6か月後に大量生産が開始されます。
Frost＆Sullivanの予測によれば、2010年までに、高度なHDタイプのSIMカードは、世界のSIMカード市場全体の6％から8％を占め、2007年の25億から3に成長します。 、2010年に80億。
インフィニオン経由