Samsungは、30 nmプロセステクノロジを使用して作成された DDR4 RAMモジュールを導入しました。
モジュールは、1.2 Vの電圧で、毎秒最大3億2,000トランザクションの速度でデータを送信できます。 。 新しいモジュールは、定格1.5 VのDDR3モジュールよりも消費電力が40％少なくなります。
これらのモジュールはPseudo Open Drainテクノロジーを使用しており、DDR3に比べて消費電流を半分に削減できます。
新しいアーキテクチャを使用すると、DDR4は12.8〜25.6 GB / sの速度で動作できます。 DDR3の速度は最大12.8 GB /秒、DDR2は最大6.4 GB /秒です。
下半期に、サムスンはサーバーメーカーと協力して、JEDECによるDDR4の標準化を完了する予定です。
UPD。 修正済み。