फ्लैश मेमोरी का एक विकल्प इस वर्ष के अंत में दिखाई देगा

तीन महीने पहले, इंटेल और STMicroelectronics ने चरण परिवर्तन के साथ एक मौलिक नए प्रकार की फ्लैश मेमोरी को विकसित करने और निर्माण करने के लिए दुनिया भर में एक संयुक्त उद्यम और नौ आरएंडडी केंद्रों की स्थापना की घोषणा की (यह ओवोनिक एकीकृत मेमोरी भी है, यानी ओयूएम)। विशेषज्ञों के अनुसार, इस साल पहले उत्पादों का वाणिज्यिक प्रक्षेपण हो सकता है। अधिक उन्नत तकनीक पूरी तरह से मानक नंद फ्लैश मेमोरी को बाजार से बाहर धकेल सकती है।



इस हफ्ते के फ्लैश मेमोरी समिट में , इंटेल के फ्लैश प्रोडक्शन स्ट्रेटेजिक प्लानिंग मैनेजर, ग्रेग कोमोटो ने कहा कि कंपनी ने पहले ही 90nm OUM नमूने बना लिए हैं। उन्होंने यह भी कहा कि भविष्य में यह मेमोरी नंद की पारंपरिक स्मृति को बदल देगी। उनके अनुसार, कोई भी तकनीक कीमत और अन्य विशेषताओं में ओयूएम के साथ प्रतिस्पर्धा करने में सक्षम नहीं है।







इंटेल अध्ययनों से पता चलता है कि ओयूएम प्रौद्योगिकी का उपयोग 15 एनएम तक के मानकों के साथ प्रक्रियाओं में किया जा सकता है। यह माइक्रोकाइक्रेट्स के लघुकरण के लिए बहुत संभावनाएं खोलता है, जिसका अर्थ है कि उनकी सस्ती और बेहतर गुणवत्ता की विशेषताएं।



फेज चेंज मेमोरी माइक्रोकिरुइट्स को नियमित सीडी के समान सामग्री से बनाया जाता है। मोल्डिंग के बाद निर्माण प्रक्रिया में, सामग्री के कुछ खंडों को जल्दी से 600 ° C तक गर्म किया जाता है, जिससे ये खंड पिघल जाते हैं, अर्थात् वे क्रिस्टलीय अवस्था से एक अनाकार में परिवर्तित हो जाते हैं।